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届亚技术b)一个Sb2Se3/In2S3核/壳纳米棒的TEM图像。太电e)不同缓冲层的Sb2Se3太阳能电池的EQE谱。

池展池储该成果以题为ConductionBandEnergy-LevelEngineeringforImprovingOpen-CircuitVoltageinAntimonySelenideNanorodArraySolarCells发表在了Adv.Sci.上。与传统的平面结构薄膜太阳能电池相比，洲动Sb2Se3纳米棒阵列太阳能电池具有优良的广谱响应特性和更高的短路电流密度。因此，力电览控制Sb2Se3晶粒的晶体取向对吸收层的质量和太阳能电池的器件性能非常关键。

图5 In2S3-CdS复合层(C7)的XPS和UPS分析a)C7在不同蚀刻时间（0、暨展125、250、375、500和600s）下的In3d、Cd3d和S2p的XPS光谱。【成果简介】近日，届亚技术在河北大学李志强副教授团队等人带领下，届亚技术构建了一个相互啮合的In2S3纳米片-CdS复合材料作为缓冲层，紧密地涂覆在Sb2Se3纳米棒表面。

【小结】综上所述，太电低温溶液加工的In2S3纳米片/CdS复合层是Sb2Se3纳米棒阵列太阳能电池的有效缓冲层。

该器件具有1.1~1.3eV的带隙，池展池储可见光区吸收系数为105 cm−1，载流子迁移率高，器件稳定性好。因为肝含有大量维生素A，洲动会引起维生素A中毒。

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在共价有机框架（COF）领域，届亚技术团队亦是成果颇丰。结晶过程中会发生对称断裂，太电并且每个晶体都包含相同手性的聚合物链。